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通流容量：

通流容量是指施加規(guī)定波形的沖擊電流和沖擊次數(shù)，沖擊后壓敏電壓的變化小于或等于規(guī)定值時(shí)所能通過的電流。它和脈沖幅度，脈沖持續(xù)時(shí)間及應(yīng)用中所要承受的脈沖次數(shù)有關(guān)，可從降額曲線中查得。測(cè)量時(shí)一般施加8*20μs或2ms的方波。

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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測(cè)出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長(zhǎng)，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長(zhǎng)大。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長(zhǎng)大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構(gòu)成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學(xué)計(jì)量　ｎ　型半導(dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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壓敏電阻連續(xù)工作電壓壽命，即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境和系統(tǒng)電壓條件下應(yīng)能可靠地工作規(guī)定的時(shí)間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩(wěn)態(tài)工作電壓應(yīng)力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關(guān)的。在不發(fā)生機(jī)械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時(shí)間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發(fā)熱量增大，若這個(gè)能量不能散失，元件的溫度會(huì)很快上升，這種元件在維持一段初始穩(wěn)定狀態(tài)后，終將達(dá)到熱失控（擊穿）的溫度而結(jié)束其使用壽命。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系，謝謝！

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