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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時所對應的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標準，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預擊穿區和擊穿區轉折點的一個參數，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產品為0.1mA）直流電流通過時，產品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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漏電流IL

漏電流(mA)也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規定的溫度和直流過壓敏電阻器電流。IEC對漏電流 IL較為普遍的定義是：環境溫度25℃時，在壓敏電阻上施加其所屬規格的連續直流工作電壓UDC時，流過壓敏電阻的直流電流。

一般而言，在材料配方和燒結工藝固定的情況下，漏電流適中的壓敏電阻具有較好的安全性和較長的壽命。

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