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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：

晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體，晶界為絕緣體，類(lèi)似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢(shì)壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！

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老化機(jī)理：

曾經(jīng)被認(rèn)為是老化的起因的有電子陷阱，偶極子轉(zhuǎn)向，氧脫附和離子遷移，目前能證實(shí)的只有填隙鋅離子遷移。一般認(rèn)為老化是晶界現(xiàn)象，是由于耗盡層內(nèi)離子遷移，而Zni是主要的遷移離子。

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殘壓比KR  

通過(guò)壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過(guò)電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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