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預(yù)擊穿區(qū)：是指在此區(qū)域內(nèi)，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導(dǎo)電屬于熱激發(fā)電子電導(dǎo)機(jī)理。因此，壓敏電阻器相當(dāng)于一個10MΩ以上的絕緣電阻，這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運(yùn)行時壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過電壓保護(hù)、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護(hù)電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導(dǎo)過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護(hù)效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運(yùn)行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,

故必須對其進(jìn)行定期檢測,以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現(xiàn)顯著變化;而在這個拐點(diǎn)之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測結(jié)果帶來不確定性。某個產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負(fù)一價和負(fù)二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運(yùn)動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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